IBM Anuncia Nova Geração de Chips

A IBM anuncia hoje uma melhoria significativa na tecnologia de transístores: o interruptor on/off de dimensões reduzidas que funciona como uma barreira de bloqueio básica para todos os microchips actualmente construídos. Uma inovação há muito procurada.

Em conjunto com a AMD e com os outros parceiros da área de desenvolvimento, nomeadamente a Sony e a Toshiba, a IBM desenvolveu um processo para construir uma parte essencial do transístor com base num novo material, abrindo caminho a um sistema eléctrico de chips mais reduzido, mais rápido e mais eficaz em termos de aproveitamento energético, do que previamente se acreditava ser possível. Esta tecnologia pode ser incorporada nas linhas actuais de fabrico de chips com mudanças mínimas ao nível de ferramentas e de processos, tornando-a assim economicamente viável.

Prevê-se que este progresso surta um forte impacto e que conduza a melhorias nos diversos sistemas electrónicos, desde computadores a outros produtos deste âmbito direccionados para os consumidores. A IBM introduziu esta tecnologia na sua linha inovadora de fabrico de semi-condutores, localizada em East Fishkill, Nova Iorque, estando prevista a sua aplicação em produtos a partir de 2008.

“Até ao momento, o mercado de chips deparava-se com uma enorme barreira referente aos limites alcançáveis pela margem de progresso da tecnologia actual” afirma o Dr. T.C. Chen, vice-presidente da Divisão de Ciência e Tecnologia, da IBM Research. “Após dez anos de esforços e dedicação sabemos actualmente qual o caminho a percorrer. Com a tecnologia de chips tão presente no nosso dia-a-dia, este trabalho aporta benefícios a muitos níveis”.

A tecnologia, designada de high-k metal gate, substitui uma componente crítica do transístor – que controla a sua função primária de regulação on/off – por um novo material que garante propriedades eléctricas superiores às do seu antecessor. Isto significa uma optimização da função do transístor e torna possível a redução da sua dimensão para além dos limites actuais.

A utilização deste material permite assim que as empresas continuem na direcção definida pela Lei de Moore, o axioma da indústria dos chips que prevê uma duplicação do número de transístores existentes num chip, a cada 12 a 18 meses, conduzindo também à maximização da funcionalidade e desempenho da tecnologia. O sector dos semi-condutores tem registado esta taxa de desenvolvimento durante décadas, mas estava próximo de alcançar os limites da tecnologia mais recente, ameaçando um abrandamento dos avanços na área.

Tão importante quanto o próprio material é a sua metodologia de introdução nas técnicas de fabrico actuais. A criação deste componente do transístor, com base no novo material, foi desenvolvida pela equipa da IBM sem a necessidade de mudanças profundas em matéria de ferramentas e processos de fabrico, um factor essencial para a concepção de uma tecnologia economicamente viável.

Parte do trabalho suplementar que conduziu a este progresso fora já divulgado pela IBM em jornais científicos e apresentado em conferências relacionadas com a tecnologia de chips. A IBM prevê publicar o resumo desta inovação final num evento similar a acontecer num futuro próximo.

Para mais informações sobre IBM Research, por favor consulte: http://www.research.ibm.com